节能30% 30纳米级内存登陆国内市场
日期:2011-03-17 14:07
在2009年的1月份，40nm级别的DRAM内存芯片正式发布，当时别誉为到了开发的极限。不过时隔2年后，三星发布了30nm级别DRAM，目前已经登陆国内市场。
30纳米级指的是，半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米，与40纳米或50纳米级别相比，能在同样的空间中容纳更多的电路。此外，生产效率方面比40纳米DRAM内存芯片率提高60%；成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高至少两倍以上；耗电量方面与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比，分别减少了30%和15%以上。
三星金条笔记本SODDR3 1333/2G正反面共搭载8颗30纳米颗粒内存芯片(
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